Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The ITER Coil Power Supply and Distribution System (CPSDS) will be installed to receive power from the French 400 kV transmission grid and to provide controlled DC power to the superconducting tokamak magnets for plasma operation.
The ITER Pulse Power Electrical Network (PPEN) is capable of supplying 500 MW of pulse power and to compensate 750 Mvar of reactive power. In addition, the AC/DC conversion plant is always operated in dynamic conditions in terms of plasma control requirements. The AC/DC converter power supplies produce numerous harmonics, and with the large installed power compared to short circuit capacity and complex...
The paper gives a description and key design features for the EAST power supply system consisting of superconducting coil power supply, inner vessel coil power supply, and additional heating power supply including microwave power supplies and neutral beam injection power supply. These power supplies are all realized by AC/DC converter, H Bridge and IGBT chopper.
Epitaxial YBa2Cu3O7-delta was formed by processing of laser-ablated, fluorine-free precursor films. The depositions were conducted at room temperature in low oxygen pressure on LaAlO3(LAO) single crystal substrates. Processing was done in the same deposition chamber by heating the precursor film to reaction temperatures of 750-850degC in a reducing gas ambient, and then raising the oxygen pressure...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.